电容器所能承受的脉冲电压斜率(续)

　　电容器的（dvzdt）；<电极同宽的MPP的电容器2900~3900V/S /MS箔式PP的电容器<云母电容器<455kV/S铝金属化电容器<锌铝金属化电容器<箔式PP的电容器<云母电容器的dvdt云母电容器的dv//t*高的原因是：电极材料是高电导率的银层或铜箔，厚度2~20um，而且导电路径极短，接触电阻极小，电极的峰值电流面密度1S极大；直线分切的金属化电容器<波浪分切的金属化电容器的dvdt有资料介绍高100倍！

　　<双面金属化电容器dvdt至少是两倍；<内串的dv/dt至少是串的倍数；<内串的dv/dt至少是外串数乘上内串数的倍数；纵向内串数乘上横向内串数的倍数（前一条推理）。

　　因此，电容器的结构、电压、容量，介质材料、电极和引出材质及尺寸（长、宽、厚，金属化电极是单面还是双面）分切质量和方法（直线还是波浪分切）等与脉冲电压斜率（dv々t）密切相关，高的、或超高的冲击电压变化率（dv々t）的电容器，具有额定电压高、电容量小、还要有低等效串联电阻低电感或无电感的特性。结构设计和使用时应予充分注意。

　　4dvzdt试验电路原理图和参数计算4.1L-C充电、放电dvdt试验电路④L-C充电、放电电路原理和振荡回路电流电压波形为L-C试验主电路原理图（控制电路及保护电路略）由能电容器C，可控硅21、T2电感L，可变电感L二极管D和试验电容器C组成主回路。

　　基本工作原理是：能电容器C，并联于直流电源输出二端，当g，脉冲到来时可控硅T，打开通过厶向C，充电至电压U充电电流降到T，的维持电流以下时，T，关闭，回路做好谐振准备，当g2脉冲到来打开，LC开始振荡，产生电流正半波，电流过零时C被充以反向电压，然后通过二极管D向L产生电流负半波，由于回路损耗相对很小，一个周期结束后C基本恢复到起始的电压值，此时无g2脉冲，T2处于关闭状态，振荡仅维持一个周波就结束，此时gl又将T，打开，补偿损耗掉的能量后，g2脉冲到来打开回路再开始第二个谐振周波，其中被试电容器C上电压Uc振荡回路电流波形如所示。

　　为Hz T一振荡间隔为峰值电流。

　　当试验电容器C确定后，变化电感L值可获得所需要的t值。回路谐振峰值电流和由本文前（1）、（2）、（3）式，当U为VL为C为I，单位为A 3试可见：试验电容器C确定后，值由U和L值决定，当试验电压U确定后，变化L可获得所需的I，值。

　　效值/r：区间内石电流为零，所以由（24）式可知：所需要的试验电流有效值Ir可以改变周期t和T来获得，要改变t即需改变CL值，CL改变又将影响己确定/*的值，而改变T将不影响CL/*的选择，从可见，改变g，g2的脉冲周期可变化T的大小，这可通过调节控制回路的电位器而比较容易的获得。

　　该试验电路的特点是不受试验电容器的电容和电压限制，只要试验台输出功率足够大，均可获得试验所需的峰值电流/*和有效值电流/r.例如：用dvdt试验电路对单面铝金属结构的换流电容器进行超负荷试验，试验电容器的电容为80MF，额定电压为1400V.a.c，额定电流50Hz为35.2A，内装压力保护装置，非铁磁性外壳，自然散热条件。

　　根据该电容器的实际运行状态和技术要求，选择电感量L荷试验电压U= 1800V.dc，在不计回路电阻的情况下，可通过计算求得：由（27）式得到的dv々t值，再根据电容器的结构、参数、材料有关数据代入（9）式即可得出该电容器金属化电极工作时的峰值电流线密度/l. 42R-C充电、放电dvit试验电路' 421R-C充电、放电回路原理图（见）和电压、电流波形图（见）闸流晶体管R-C充电、放电电路422电路电感（包括电容器的电感）对脉冲试验的影响标准推荐的脉冲试验方法，其试验电路（如）大多是包括有反复充电和放电的电容器的电阻性电路。其电流和电压特性一般是指数式的。但是，在许多应用场合下，尤其在高的dvdt值时，电路电感的电感效应特别重要，并且对应用时电容器的适用性有着重要的影响。

　　当存在临界阻尼条件（R2 =4LC）时，电路电感的电感效应对充电和放电的曲线的形状改变较小，这对试验严酷度几乎不产生什么影响；但是，当R2<4LC时，电路电感的电感（下转第44页）从而提高输电线路末端的电压。如图所示。

　　无功功率负荷增大时所抬高的末端电压将大，无功功率负荷减小时所抬高的末端电压将减小。而无功功率负荷增大将导致末端电压下降，此时也正是需要升高末端电压。但是对于负荷功率因数高或者输电线路导线截面小的线路，线路电抗对电压损耗影响较小，故串联电容补偿控制调压效果小。因此利用串联电容补偿调压一（上接第13页）效应则可能会出现阻尼或非阻尼振荡的过冲，导致电容器脉冲试验的过应力和功率消耗，增加了试验严酷度。